电源供应
| VDD | 芯片的数字工作电压（不使用ADC：2.0V ~ 3.6V 使用ADC：2.4V ~ 3.6V） |
| VSS | 芯片的数字公共接地 |
| VDDA | 芯片的模拟工作电压 |
| VSSA | 芯片的模拟公共接地 |
| VREF+ | ADC基准参考电压（2.0V ~ VDDA） |
| VREF- | 模拟基准参考电压（必须接VSSA） |
| VBAT | 备用电池（RTC和备用寄存器）（1.8V ~ 3.6V） |
VDD：5个100nF的陶瓷电容和1个4.7uF(其实是：min.4.7uF、typ.10uF)的钽电容
VDDA：1个10nF的陶瓷电容和1个1uF的钽电容
VREF+：如果单独提供外部参考，1个10nF的陶瓷电容和1个1uF的钽电容
VBAT：如果不接电池，接到VDD和1个100nF的陶瓷电容
复位电路
低电平复位，在按键两端并联0.1uF陶瓷电容。（内部已有上拉，外部无需上拉）
时钟电路
外部高速时钟：4-16M的晶振。
负载电容CL1=CL2，5pF-25pF，具体值由晶振厂商确定。
具体设计原理，参考大神的博客：https://blog.csdn.net/Seaman_TY/article/details/93090532
外部低速时钟：32.768K的晶振。
CL1和CL2，建议使用高质量的5pF~15pF的电容，最大值不能超过15pF。
负载电容CL计算： CL = CL1 x CL2 / (CL1 + CL2) + Cstray， 其中Cstray是引脚的电容和PCB板或PCB相关的电容，它的典型值是介于2pF至7pF之间。
为了避免超出CL1和CL2的最大值(15pF)，强烈建议使用负载电容CL≤7pF的振荡器，不能使用负载电容为12.5pF的谐振器。
启动电路
（1）用户闪存 ： 芯片内置的Flash。正常的工作模式。
（2）SRAM： 芯片内置的RAM区，就是内存。可以用于调试。
（3）系统存储器： 芯片内部一块特定的区域，芯片出厂时在这个区域预置了一段Bootloader，就是通常说的ISP程序。这个区域的内容在芯片出厂后没有人能够修改或擦除，即它是一个ROM区。启动的程序功能由厂家设置。
阻抗典型值为10kΩ
调试电路
参考设计
转载：https://blog.csdn.net/lushoumin/article/details/116672510
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